MOS管功率放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡略等長處。

mos管作用：

MOS管主驅動電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，輸入端接單片機脈寬調制輸入信號。 以運放的輸出作為OCL的輸入，到達克制零點漂移的作用。

mos管電路：

MOS管驅動電路，驅動電路包含MOS管主驅動電路和欠壓維護電路。欠壓維護電路銜接在MOS管主驅動電路的輸入端，包含對比器、電阻R1、R2和穩(wěn)壓二極管D2；電阻R2和對比器的輸入端并聯(lián)再與電阻R1串聯(lián)在MOS管主驅動電路的驅動電源和電源地之間；對比器的輸出端串聯(lián)穩(wěn)壓二極管D2。

本實用新型的欠壓維護電路將驅動電源電壓經電阻分壓后的電壓與設定的基準電壓對比，假如低于基準電壓，欠壓維護驅動電路當即堵截MOS管驅動電路，有用避免MOS管進入線性區(qū)所形成的功率器材功率低及易損壞等不良后果。

mos開關管：

開關損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關，所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。對于前者，留意不要將負載電壓設置的太高，固然負載電壓高，效率會高點。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒有留意到這個現象，直接調節(jié)sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會嚴峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下，只能看著光衰了。不管如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。

mos管電路特征：

1，用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需要的MOS管。

3，gate電壓的峰值束縛

4，輸入和輸出的電流束縛

5，通過運用適合的電阻，可以抵達很低的功耗。

6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來處理。

mos管參數:

ards---漏源電阻溫度系數

aID---漏極電流溫度系數

Vn---噪聲電壓

η---漏極效率（射頻功率管）

Zo---驅動源內阻

VGu---柵襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VGD---柵漏電壓（直流）

VDS(sat)---漏源飽滿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

Tstg---貯成溫度

Tc---管殼溫度

Ta---環(huán)境溫度

Tjm---最大容許結溫

Tj---結溫

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）

POUT---輸出功率

PIN--輸入功率

PDM---漏極最大容許耗散功率

PD---漏極耗散功率

R(th)ja---結環(huán)熱阻

R(th)jc---結殼熱阻

RL---負載電阻（外電路參數）

Rg---柵極外接電阻（外電路參數）

rGS---柵源電阻

rGD---柵漏電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS---漏源電阻

Ls---源極電感

LD---漏極電感

L---負載電感（外電路參數）

Ku---傳輸系數

K---失調電壓溫度系數

gds---漏源電導

ggd---柵漏電導

GPD---共漏極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨導

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）

Iu---襯底電流

IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流

IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IF---二極管正向電流

IGP---柵極峰值電流

IGM---柵極脈沖電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGR---反向柵電流

IGF---正向柵電流

IG---柵極電流（直流）

IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDSM---最大漏源電流

IDS---漏源電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

ID(on)---通態(tài)漏極電流

dv/dt---電壓上升率（外電路參數）

di/dt---電流上升率（外電路參數）

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

Ear:重復雪崩擊穿能量

Iar:雪崩電流

Ton:正導游通時刻.(根本能夠忽略不計).

Qrr :反向恢復充電電量.

Trr :反向恢復時刻.

VSD :正導游通壓降.

ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).

IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).

EAR:重復雪崩擊穿能量.

IAR :雪崩電流.

EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.

mos管器件檢測：

1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好

2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。

3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大。

4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極電場，因為電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。
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