場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
怎樣理解場效應管參數
場效應管參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時只需關注以下主要參數：飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓UP（結型管和耗盡型絕緣柵管）或開啟電壓UT（增強型絕緣柵管）、跨導gm漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
(1)飽和漏源電流
飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
(2)夾斷電壓
夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕型場效應管中，使漏源間剛截止上時的柵極電壓。如圖4-25所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明確看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UDS-ID曲線。
(3)開啟電壓
開肩電壓UT是指增強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明確看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
(4)跨導
跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力，即漏極電流ID變化與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是衡量場效應管放大能力的重要參數。
(5)漏源擊穿電壓
漏源擊穿電樂BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。
(6)最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是一項極限參數，足指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。
(7)最大漏源電流
最大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM。
場效應管特點
與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。
（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；
（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；
（5）場效應管的抗輻射能力強；
（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
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