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    6. 場效應(yīng)管(MOS管)的電路基礎(chǔ)知識
      • 發(fā)布時間:2021-09-06 20:23:52
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      場效應(yīng)管(MOS管)的電路基礎(chǔ)知識
      1.什么是N型、P型半導(dǎo)體中多子和少子?
      2.PN結(jié)。
      場效應(yīng)管分為:
      1.絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET),又稱MOS管;
      2.結(jié)型場效應(yīng)管j(JFET)。
      當了解完MOS管,結(jié)型場效應(yīng)管自然就理解了。
      一、原理說明(以N溝道增強型MOS管為對象)
      先看圖:
      場效應(yīng)管
      1.為什么叫N溝道?
      因為源極和漏極是兩個N型半導(dǎo)體,我們的目的是要使源極和漏極兩個導(dǎo)通,相當于在漏源之間挖一條溝渠,這樣兩邊就連通了。
      但問題來了。在無任何外電場作用的情況下,漏源之間是兩個背向的PN結(jié),無法形成溝道,無法連通。
      2.怎么形成N溝道?
      在柵-源(g-s)間加上正電壓,在柵極金屬下側(cè)聚集正電荷,排斥二氧化硅絕緣層下側(cè)P型半導(dǎo)體具有正電特性的空穴,形成PN結(jié)。
      場效應(yīng)管
      現(xiàn)在加大柵-源(g-s)間的電壓,PN結(jié)區(qū)域變寬,同時吸引PN結(jié)下方的電子到PN結(jié)與二氧化硅之間,這樣溝道就形成了。
      場效應(yīng)管
      3.溝挖好了,現(xiàn)在要"放水"了
      在漏-源(d-s)間加上正向電壓,電子在電場下流動,形成電流。
      場效應(yīng)管
      4.為什么叫增強型?
      因為要形成溝道,柵-源(g-s)間就要加上正電壓,在一定范圍內(nèi),加的正電壓越大,溝道越寬,導(dǎo)通的能力就越強。對應(yīng)的,耗盡型MOS管就明白了。
      注意:在柵-源(g-s)間電壓目的不是為了使溝道下方的PN結(jié)導(dǎo)通,這里是為了形成溝道,與三極管在PN結(jié)上加正向電壓目的不一樣。
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