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    6. MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù),最小門(mén)極電阻計(jì)算介紹
      • 發(fā)布時(shí)間:2023-01-30 15:49:03
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      MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù),最小門(mén)極電阻計(jì)算介紹
      在《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動(dòng)參數(shù)的計(jì)算方法》該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門(mén)極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7,并以此得出了電流波形不振蕩的最小門(mén)極電阻的計(jì)算公式。
      然而,該應(yīng)用指南并未講述如何推導(dǎo)出 Eq.7,故寫(xiě)此文列出推導(dǎo)過(guò)程,如下:
      由 Eq.6 可知串聯(lián) RLC 電路的特征方程為:
      MOSFET 門(mén)極 電阻
      特征根為:
      MOSFET 門(mén)極 電阻
      奈培頻率為:
      MOSFET 門(mén)極 電阻
      諧振頻率為:
      MOSFET 門(mén)極 電阻
      為了保證門(mén)極電流 i(t) 不振蕩,則電流響應(yīng)應(yīng)為過(guò)阻尼,既有:
      MOSFET 門(mén)極 電阻
      綜上所述,可得:
      MOSFET 門(mén)極 電阻
      至此,Eq.7 得證。
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