一、現(xiàn)象
現(xiàn)象①
你是否遇到過這樣的情況？IC芯片空載時(shí)，輸出電壓正常，但當(dāng)帶上負(fù)載后，輸出電壓馬上就會往下掉。這是怎么回事呢？
現(xiàn)象②
如圖為MOS管的驅(qū)動波形，可以看出開啟過程并不順利。這是為什么呢？
正常情況下，帶載后的電壓可能會比空載電壓略低，但下降幅度不明顯。如果輸出電壓下降太多，可能原因有兩種:
①后級負(fù)載短路，輸出電壓直接到地。這時(shí)候需要確認(rèn)后級電路是否有虛焊或元件損壞。
②IC驅(qū)動能力不夠。
二、什么情況下要考慮驅(qū)動能力?
任何情況都要考慮，包括數(shù)字信號處理的接口電路中。但是常說的驅(qū)動能力都是在驅(qū)動功率器件的情況下用得比較多，比如上面提到的MOS驅(qū)動。
三、如何判斷IC的驅(qū)動能力？
查看芯片資料，里面都有說明I/O口的驅(qū)動能力。根據(jù)你的負(fù)載所需要的驅(qū)動能力來判斷這個IC的I/O口是否符合。前面現(xiàn)象②明顯是MOS管的驅(qū)動能力不足造成的。
由于國外器件采購的限制，很多公司都面臨IC國產(chǎn)化問題，我們也一樣。
拿到樣品后我們需要做相關(guān)的實(shí)驗(yàn)，例如最近有一款代替MOS管的驅(qū)動芯片。大概說明一下測試方法（之前我有一篇文章寫的是關(guān)于如何估算MOS的驅(qū)動電流的文章，如果不是替代實(shí)驗(yàn)，不知道驅(qū)動電流大概多少的可以看一下。）
可以先估算MOS管的驅(qū)動電流，假設(shè)300mA。同等條件下，再對比兩款芯片帶假負(fù)載后芯片的溫升及負(fù)載電壓。如果溫升和電壓差不多，就直接驅(qū)動MOS，再做進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)，否則不可用。
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