今天我們來(lái)了解下MOS管為什么需要加快關(guān)斷速度，以及應(yīng)該如何加速關(guān)斷。
MOS管驅(qū)動(dòng)有很多種，之前我們有所了解，其中有一種就是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，我們主要圍繞這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)來(lái)展開。
在MOS管關(guān)斷的時(shí)候，一般電壓會(huì)比開通的時(shí)候更高，關(guān)斷產(chǎn)生的損耗也比開通產(chǎn)生的損耗要大，因此我們總希望電路關(guān)斷的速度能變快點(diǎn)。
那么，我們要怎樣加速M(fèi)OS管的關(guān)斷呢？
我們看下面這張圖
當(dāng)MOS管開通時(shí)，電阻R1與R4限流，進(jìn)而對(duì)MOS管電容進(jìn)行充電 ；
在這里要注意，R1與R4的電阻參數(shù)不是固定的，并且，R1會(huì)小于R4。
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，R4電阻上的電壓被鉗位在0.7V，當(dāng)大于0.7V后，電流經(jīng)過(guò)二極管，然后與R1串聯(lián)進(jìn)行放電，這樣就減少了驅(qū)動(dòng)電阻，因此MOS管可以實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷，進(jìn)而減少了關(guān)斷損耗。
這里有個(gè)問(wèn)題，如果芯片驅(qū)動(dòng)能力不足的話怎么辦？
答案是：我們可以通過(guò)增加PNP三極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。
當(dāng)MOS管開通時(shí)，依舊讓芯片進(jìn)行直接驅(qū)動(dòng)，但在關(guān)斷時(shí)可以通過(guò)三極管來(lái)進(jìn)行放電。
這時(shí)，三極管的be電流控制ec電流，進(jìn)而泄放MOS管的柵極電容的電荷。當(dāng)三極管的ce電流滿足一定條件時(shí)，ec的電流能夠通過(guò)be電流進(jìn)行放大，這樣電源IC所需的關(guān)斷能力就會(huì)小很多。
這不僅加快了MOS管關(guān)斷速度慢的問(wèn)題，同時(shí)也解決了IC驅(qū)動(dòng)能力不足的問(wèn)題。
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